国科大交叉学院邀请中国科学院微电子研究所王盛凯研究员做“半导体历史中的材料变迁”前沿学术报告
3月23日下午14点，国科大前沿交叉科学学院主办的“前沿交叉科学与技术论坛-集成电路方向”第一场讲座在雁栖湖校区教二楼101教室顺利举行。中国科学院微电子研究所王盛凯研究员受邀作题为《半导体历史中的材料变迁》的学术报告，交叉学院刘向峰教授主持，100余名集成电路方向博士生参与交流学习。
半导体材料的历史演进：从元素半导体到新型材料体系
王盛凯研究员结合我国商务部、海关总署对镓、锗相关物项实施出口管制的政策背景，系统回顾了半导体材料的发展历程，分析了硅材料在半导体产业中的重要作用，以及锗和化合物半导体材料在新型器件设计和优化中的优势。报告强调了材料特性与器件性能之间的内在联系，例如硅材料载流子迁移率对集成电路性能提升的影响，以及化合物半导体界面工程对器件性能的优化作用。通过历史对比与技术发展趋势分析，展示了材料创新对半导体技术进步的推动作用。
图一：王盛凯研究员作专题报告
学科交叉：材料创新与器件设计的深度融合
王盛凯研究员指出，当前半导体材料研究正处于多学科交叉融合的阶段。他的团队通过界面态调控与低温工艺优化等技术，成功降低了锗、III-V族半导体及SiC MOS器件界面的缺陷密度，显著改善了器件性能与可靠性。这些成果已发表于IEDM、VLSI、IEEE TED等顶级会议与期刊，形成了具有自主知识产权的多项发明专利，并实现了技术转移和产业化应用。
学子互动：科研实践与产业需求的双向奔赴
在互动交流环节中，博士生围绕“宽禁带半导体材料界面态控制”“先进半导体器件工艺”等前沿问题展开探讨。讨论中既有对微观机制的理论思辨，也涉及中试产线适配性等产业化关切点，体现了学术界与产业界在技术创新链条上的深度耦合。王盛凯研究员结合团队在SiC MOSFET界面态调控等领域的工程实践，强调“从实验室到生产线”的转化需兼顾技术先进性与工艺容错性，并鼓励青年学者在夯实理论基础的同时，关注行业标准演进与供应链生态建设。
图二：参会学生认真聆听报告
论坛展望：构建集成电路交叉创新生态
作为 "前沿交叉科学与技术论坛 - 集成电路方向" 的开篇之作，本次讲座通过历史脉络与技术前沿的双重维度，为青年学子展现了半导体材料的发展全景。未来，学院将持续邀请国内外顶尖专家，围绕半导体器件物理、先进制造工艺、智能设计方法等方向开展系列研讨，着力构建 "基础研究 - 技术开发 - 产业应用" 的全链条创新生态，为我国集成电路领域培养具有国际视野的复合型领军人才。
报告人简介
王盛凯，博士毕业于日本东京大学，现任中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师、教育处处长。长期从事半导体器件与集成技术研究。在IEDM、VLSI、IEEE TED等期刊和会议发表论文130余篇、出版学术专著2部，申请国内外发明专利110余项，授权国内外发明专利50余项、对外许可8项。主持国家自然科学基金、国家重点研发计划项目和课题十余项。现任国际介电薄膜会议国际委员，书系Frontiers in Semiconductor Technology主编。曾获2021年中国科学院青促会优秀会员、2019年北京市技术发明二等奖、2011年IWDTF Young Researcher Award等。
